1. 產(chǎn)品概述：

MCF 的化學(xué)機(jī)械拋光機(jī) CMP 是一種用于半導(dǎo)體制造等領(lǐng)域的關(guān)鍵設(shè)備，主要通過(guò)機(jī)械研磨和化學(xué)液體溶解 “腐蝕" 的綜合作用，對(duì)半導(dǎo)體材料（如晶圓）進(jìn)行研磨拋光，以實(shí)現(xiàn)材料表面的平坦化處理，為后續(xù)的半導(dǎo)體器件制造工序（如光刻、蝕刻等）提供高質(zhì)量的平整表面。

2. 設(shè)備應(yīng)用：

· 半導(dǎo)體集成電路制造：在半導(dǎo)體芯片的生產(chǎn)過(guò)程中，用于對(duì)晶圓進(jìn)行平坦化拋光，確保晶圓表面的平整度和光潔度，滿(mǎn)足芯片制造中對(duì)多層結(jié)構(gòu)和精細(xì)線路的要求，例如在邏輯芯片、存儲(chǔ)芯片等的制造中，CMP 是實(shí)現(xiàn)高性能芯片的重要工藝環(huán)節(jié)。

· 其他電子元件制造：對(duì)于一些對(duì)表面平整度要求較高的電子元件，如光電器件、MEMS 器件等，該化學(xué)機(jī)械拋光機(jī)也可用于其制造過(guò)程中的表面處理，提升元件的性能和可靠性。

3. 設(shè)備特點(diǎn)：

1. 該化學(xué)機(jī)械拋光機(jī)可用于各類(lèi)半導(dǎo)體集成電路、氧化物、金屬、STI、SOI等產(chǎn)品的CMP平坦化拋光。 通過(guò)更換拋光頭可兼容4、6、8英寸晶圓

2. 系統(tǒng)功能：手動(dòng)上下片，程序自動(dòng)進(jìn)行拋光，配有終點(diǎn)監(jiān)測(cè)裝置，配置半自動(dòng)loading & unloading托盤(pán)系統(tǒng)，8寸規(guī)格，方便8寸晶圓上下片

3. 拋光數(shù)據(jù)監(jiān)測(cè)：具有摩擦力監(jiān)測(cè)功能

4. 配備紅外溫度計(jì)實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)拋光過(guò)程中拋光墊表面溫度

4. 產(chǎn)品參數(shù)：

1. 拋光盤(pán)直徑≥20inch(508mm) 轉(zhuǎn)速范圍：30-200rpm

2. 拋光頭wafer加壓方式：氣囊加壓，帶有背壓功能

3. wafer壓力控制范圍：70-500g/cm2

4. 保持環(huán)壓力控制范圍：70-700g/cm2

5. 拋光頭轉(zhuǎn)速范圍：30-200rpm 擺動(dòng)幅度：±10mm

6. 拋光液供應(yīng)系統(tǒng)：3個(gè)可調(diào)流量蠕動(dòng)泵供液，3路獨(dú)立的拋光液通道，滴液位置可調(diào)

7. 配置摩擦力&溫度終點(diǎn)監(jiān)控系統(tǒng)：含專(zhuān)用監(jiān)測(cè)軟件，帶有End point detection功能

8. 控制系統(tǒng)：PC工控機(jī)控制，觸摸屏操作，可存儲(chǔ)20個(gè)加工程序，加工程序最多可設(shè)6個(gè)不同加工階段

9. 均勻性 (1sigma,EE(Edge Exclusion):5mm)

片內(nèi)非均勻性WIWNU≤5%

片間非均勻性WTWNU≤5%

實(shí)際參數(shù)可能會(huì)因設(shè)備的具體配置和定制需求而有所不同。