改良后的硅芯爐設計采用兩個直徑約為50毫米的源桿，并可以從每個源桿上拉出硅芯。

產品數據概覽:

材料：硅

細桿

長度： 最長3200毫米

直徑： 大約8毫米

源桿

長度： 最長 1,000 mm

直徑： 100 mm (4")

極限真空度： 5 x 10-2 mbar

最大過壓： 0.35 bar(g)

發電機

輸出電壓： 30 kW

頻率： 2.8 MHz

上拉式進料

拉動速度： 最高60毫米/分鐘

下拉式進料

拉動速度： 最高 10 mm/min

轉速： 高達 20 rpm

尺寸規格

高度： 7,300 mm

寬度： 1,820 mm

深度: 1,250 mm

占地面積（總計）： 2,500 mm x 2,800 mm

重量（總計）： 約6,000 kg

區熔（FZ）技術作為提純方法為生產高電阻率的超純硅單晶提供了技術可行性，該技術可應用于高性能電子和半導體技術領域。其另一優點是可以從氣相中連續摻入，這使得在整個晶體的電阻率沿長度方向保持一致。因此，幾乎可以在整個晶體上均勻地實現所需的電性能。由于電荷載流子的高壽命和極低的氧含量（無坩堝工藝），FZ晶體同樣也適用于光伏行業。

區熔（FZ）技術作為提純方法與CZ直拉工藝等競爭方法相比，FZ工藝的優勢在于只有緊鄰感應線圈的一小部分晶體需要被熔化，無需使用石英坩堝（每爐次耗用一個），可實現高拉速，因此降低了耗材成本的同時也降低了能源成本。此外，無論是從硅還是其他合適的材料中提取的晶體，可以通過多次處理，顯著地提高純度。