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深硅刻蝕機PSE V300主要用于12英寸深硅刻蝕，同時兼具Bosch/Non-Bosch工藝，實現(xiàn)多工藝領(lǐng)域覆蓋。該機臺針對Bosch循環(huán)工藝方式采用專業(yè)先進的快速響應硬件配置及軟件流程控制，結(jié)合先進的工藝技術(shù)，可實現(xiàn)超高深寬比下良好的工藝性能，配置多腔平臺，滿足大產(chǎn)能量產(chǎn)使用需求。

深硅刻蝕機HSE P300主要用于12英寸硅刻蝕。采用Cluster結(jié)構(gòu)布局，能夠減小占地，提升產(chǎn)能。系統(tǒng)主要由傳輸模塊、工藝模塊、灰區(qū)部件、電源柜等組成。可實現(xiàn)自動化地上下料及自動工藝。HSE M200主要用于4/6/8英寸深硅干法刻蝕工藝。可以配置手動及自動傳輸系統(tǒng)。產(chǎn)品配置高密度雙立體等離子體源，中心邊緣進氣，快速氣體切換，低頻脈沖下電極系統(tǒng)，可以實現(xiàn)高速、高深寬比及極小的側(cè)壁粗糙度。

SENTECH 集群系統(tǒng)包括等離子體蝕刻和/或沉積模塊、一個轉(zhuǎn)移室和一個真空負載鎖或盒式站。包括搬運機器人在內(nèi)的轉(zhuǎn)移室有三到六個端口。最多可以使用兩個盒式磁帶站來提高吞吐量。

SENTECH AL 實時監(jiān)測器是一種經(jīng)過驗證的光學診斷工具，可實現(xiàn)單個 ALD 和 ALE 周期的超高分辨率。主要應用是在不破壞真空的情況下分析薄膜特性（生長速率、厚度、折射率以及蝕刻速率），在短時間內(nèi)開發(fā)新工藝，以及實時研究 ALD 和 ALE 周期期間的反應機理。

SENTECH SI 500 CCP 系統(tǒng)使用動態(tài)溫度控制和氦背冷卻，代表了材料蝕刻靈活性的優(yōu)勢。等離子體蝕刻過程中的襯底溫度設置和穩(wěn)定性是高質(zhì)量蝕刻的嚴格標準。具有動態(tài)溫度控制功能的襯底電極與氦氣背面冷卻和晶圓背面溫度傳感相結(jié)合，可在很寬的溫度范圍內(nèi)提供出色的工藝條件。

SENTECH SI 591 緊湊型 RIE 等離子蝕刻系統(tǒng)具有負載鎖定功能，是氯基和氟基 RIE 的緊湊型解決方案。